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東京大学 生産技術研究所 物質・環境系部門 徳本研究室

研究業績ACHIEVEMENT

学術論文

[原著論文]

1. Y. Hattori, Y. Tokumoto, K. Kimoto, and K. Edagawa, "Evidences of inner Se ordering in topological insulator PbBi2Te4-PbBi2Se4-PbSb2Se4 solid solutions", Sci. Rep., 10 (2020) 7957/1-8.
2. H. Hamasaki, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Conductive and non-conductive dislocations in Bi-Sb topological insulators", Crystals, 89(2) (2020) 023703/1-5.
3. M. Sakamoto, A. Kobayashi, Y. Fukai, K. Ueno, Y. Tokumoto, and H. Fujioka, "Improving the electron mobility of polycrystalline InN grown on glass substrates using AlN crystalline orientation layers", J. Appl. Phys., 126(7) (2019) 075701/1-5.
4. Y. Tokumoto, R. Fujiwara, and K. Edagawa, "High-density well-aligned dislocations introduced by plastic deformation in Bi1-xSbx topological insulator single crystals", Crystals, 9(6) (2019) 317/1-10.
5. Y. Hattori, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Optimizing composition of Pb(Bi1-xSbx)2Te4 topological insulator to achieve a bulk-insulating state", Phys. Rev. Mater., 1(7) (2017) 074201/1-8.
6. H. Kim, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, M. Morita, Y. Tokumoto, and H. Fujioka, "Fabrication of full-color GaN-based light-emitting diodes on nearly lattice-matched flexible metal foils", Sci. Rep., 7 (2017) 2112/1-5.
7. H. Hamasaki, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Dislocation conduction in Bi-Sb topological insulators", Appl. Phys. Lett., 110(9) (2017) 092105/1-4.
8. I. Yonenaga, Y. Ohkubo, M. Deura, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno, A. Yoshikawa, and X. Q. Wang, "Elastic properties of indium nitrides grown on sapphire substrates determined by nano-indentation: In comparison with other nitrides", AIP Advances, 5(7) (2015) 077131/1-13.
9. I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, , and Y. Ohno, "Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals", J. Cryst. Growth, 395(1) (2014) 94-97.
10. K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto, and I. Yonenaga, "Mono-like silicon growth using functional grain boundaries to limit area of multicrystalline grains", IEEE J. Photovolt., 4(1) (2014) 84-87.
11. Y. Ohno, K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, and S. Takeda, "Three-dimensional evaluation of gettering ability of Σ3{111} grain boundaries in silicon by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy", Appl. Phys. Lett., 103(10) (2013) 102102/1-4.
12. K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa, and I. Yonenaga, "Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium: Infrared absorption studies", J. Appl. Phys., 113(7) (2013) 073501/1-5.
13. K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto, and I. Yonenaga, "Control of grain boundary propagation in mono-like Si: utilization of functional grain boundaries", Appl. Phys. Express, 6(2) (2013) 025505/1-3.
14. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Dislocation structure in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation", J. Appl. Phys., 112(9) (2012) 093526/1-6.
15. Y. Tokumoto, H. -J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, and I. Yonenaga, "Formation and Evolution of Misoriented Grains in a-plane Oriented Gallium Nitride Layers", Mater. Trans., 53(11) (2012) 1881-1884.
16. J. Vanhellemont, H. Yasuda, Y. Tokumoto, Y. Ohno, M. Suezawa, and I. Yonenaga, "2 MeV e-irradiation UHVEM study on the impact of O and Ge doping on {113}-defect formation in Si", Phys. status solidi (a), 209(10) (2012) 1902-1907.
17. Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, and T. Yao, "Optical properties of edge dislocations on (1-100) prismatic planes in wurtzite ZnO introduced at elevated temperatures", J. Appl. Phys., 111(11) (2012) 113514/1-6.
18. K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Growth of heavily indium doped Si crystals by co-doping of neutral impurity carbon or germanium", Key Engineering Materials, 508 (2012) 220-223.
19. Y. Tokumoto, H. -J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, and I. Yonenaga, "Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers", J. Cryst. Growth, 334(1) (2011) 80-83.
20. I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, H. Makino, T. Yao, Y. Kamimura, and K. Edagawa, "Optical properties of fresh dislocations in GaN", J. Crystal Growth, 318 (2011) 415-417.
21. Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Impurity effects on the generation and velocity of dislocations in Ge", J. Appl. Phys., 109 (2011) 113502/1-5.
22. Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, and I. Yonenaga, "Interaction of dopant atoms with stacking faults in silicon crystals", J. Appl. Phys., 108 (2010) 073514/1-4.
23. T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Osawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa, and I. Yonenaga , "Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities", J. Crystal Growth, 312 (2010) 2783-2787.
24. S. Amma, Y. Tokumoto, K. Edagawa, N. Shibata, T. Mizoguchi, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, "Electrical current flow at conductive nanowires formed in GaN thin films by a dislocation template technique", Appl. Phys. Lett., 96(19) (2010) 193109/1-3.
25. Y. Tokumoto, S. Amma, N. Shibata, T. Mizoguchi, K. Edagawa, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, "Fabrication of electrically conductive nanowires using high-density dislocations in AlN thin films", J. Appl. Phys., 106(12) (2009) 124307/1-4.
26. I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Ohno, and Y. Tokumoto, "Cellular structures in Czochralski-grown SiGe bulk crystal", J. Crystal Growth, 312(8) (2010) 1065-1068.
27. Y. Tokumoto, N. Shibata, T. Mizoguchi, M. Sugiyama, Y. Shimogaki, J. S. Yang, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, "High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) observation of dislocation structures in AlN thin films", J. Mater. Res., 23(8) (2008) 2188-2194.
28. Y. Tokumoto, T. Mizoguchi, Y. Sato, N. Shibata, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, "Atomic structure and relaxation behavior at AlN(0001)/Al2O3 (0001) interface", J. Ceram. Soc. Jpn, 114(11) (2006) 1018-1021.
29. K. Yamada, Y. Tokumoto, T. Nagata, and F. Mafune, "Mechanism of laser-induced size-reduction of gold nanoparticles as studied by　nanosecond transient absorption spectroscopy", J. Phys. Chem. B, 110(24) (2006) 11751-11756.

[プロシーディングス]

1. I. Yonenaga, M. Deura, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, and Y. Ohno, "Insight into physical processes controlling the mechanical properties of the wurtzite group-III nitride family", J. Cryst. Growth, 500 (2018) 23-27.
2. Y. Ohno, H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, and I. Yonenaga, "Slip systems in wurtzite ZnO activated by Vickers indentation on {2-1-10} and {10-10} surfaces at elevated temperatures", J. Cryst. Growth, 393(1) (2014) 119-122.
3. K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, and I. Yonenaga, "Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements", J. Cryst. Growth, 393(1) (2014) 45-48.
4. K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Formation of thermal double donors in Ge", JPS Conf. Proc. 1 (2014) 012082/1-4.
5. I. Yonenaga, Y. Ohno, Y. Tokumoto and K. Kutsukake, "Dislocation activities in Si under high-magnetic-field", Proceedings of 4th International Conference on Fundamental Properties of Dislocations (2013) 29-32.
6. Y. Tokumoto, H. Taneichi, Y. Ohno, K. Kutsukake, H. Miyake, K. Hiramatsu, and I. Yonenaga, "Nanoindentation Hardness and Elastic Modulus of AlGaN Alloys", Extended abstracts of the 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR) (Kyoto, IEEE) (2013) TuPH-3.
7. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno and I. Yonenaga, "In situ observation of dislocation dynamics in AlN films", Extended abstracts of the 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR) (Kyoto, IEEE) (2013) 54-55.
8. K. Kutsukake, H. Ise, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth", J. Cryst. Growth, 352(1) (2012) 173-176.
9. Y. Ohno, Y. Tokumoto, H. Taneichi, I. Yonenaga, K. Togase, and S.R. Nishitani, "Interaction of dopant atoms with stacking faults in silicon", Physica B, 407(15) (2012) 3006-3008.
10. Yonenaga, T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, K. Inoue, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and Y. Hashimoto, "Oxygen in Ge crystals grown by the B2O3 encapsulated Czochralski method", Physica B 407(15) (2012) 2932-2934.
11. Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao, and N. Yamamoto, "Recombination activity of dislocations on (0001) introduced in wurtzite ZnO atelevated temperatures", Physica B 407(15) (2012) 2886-2888.
12. Y. Ohno, Y. Tokumoto, and I. Yonenaga, "Doping effects on the stability of stacking faults in silicon crystals", Thin Solid Films, 520(8) (2012) 3296-3299.
13. T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Behaviour of oxygen-related thermal donors in Ge crystals Czochralski-grown from the melt covered fully by B2O3", J. Physics: Conf. Ser., 281(1) (2011) 012011 1-6.
14. T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga , "Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B2O3-fully-covered Ge melt", Microelectron. Eng., 88(4) (2011) 496-498.
15. T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga , "Czochralski growth of Ge crystal from the melt partially covered by B2O3 liquid", Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 (2010) 28-33.
16. T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga , "Evaluation of oxygen impurities in Ge crystals Czochralski-grown from melts partially or fully covered by B2O3 liquid", Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 (2010) 426-432.
17. I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, and Y. Tokumoto, "Recent knowledge on strength and dislocation mobility in wide band-gap semiconductors", Physica B, 404(23-24) (2009) 4999-5001.
18. Y. Tokumoto, N. Shibata, T. Mizoguchi, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, "Atomic structure of threading dislocations in AlN thin films", Physica B, 404(23-24) (2009) 4886-4888.
19. Y. Tokumoto, N. Shibata, T. Mizoguchi, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, "HRTEM observation of dislocation arrays in AlN thin films", AMTC Letters, 1 (2008) 234-235.
20. Y. Tokumoto, Y. Sato, T. Yamamoto, N. Shibata, and Y. Ikuhara, "Atomic structure of AlN/Al2O3 interface fabricated by pulsed laser deposition", J. Mater. Sci., 41(9) (2006) 2553-2557.
21. T. Nakamura, Y. Tokumoto, R. Katayama, T. Yamamoto, and K. Onabe, "RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on yttria-stabilized zirconia (001) substrates", J. Cryst. Growth, 301-302 (2007) 508-512.
22. Y. Tokumoto, Y. Sato, T. Yamamoto, N. Shibata, and Y. Ikuhara, "Mechanism of laser-induced size-reduction of gold nanoparticles as studied by　nanosecond transient absorption spectroscopy", J. Mater. Sci., 41(9) (2006) 2553-2557.

[学術雑誌における解説]

1. 徳本有紀, 枝川圭一, "トポロジカル絶縁体中転位の1次元金属状態",化学工業, 71(9) (2020) 529-533.
2. 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎, "太陽電池用の擬似単結晶シリコンインゴットの育成",技術総合誌OHM, 2013年6月号 (2013) 8-9.
3. 徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎, "非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望", まてりあ, 52 (2013) 273-277.
4. 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎, "Opto-TEM法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析", まてりあ, 48 (2009) 625.
5. 徳本有紀, 佐藤幸生, 柴田直哉, 山本剛久, "PLD法により作製したAlN薄膜とα-Al2O3基板の界面構造", まてりあ, 44 (2005) 964.

学会発表

[口頭発表]

1. 徳本有紀, 濱﨑拡，枝川圭一, "Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気伝導", 日本金属学会2019年秋期(第165回)講演大会, 岡山大学, 2019年9月13日.
2. 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一, "磁性トポロジカル絶縁体MnBi2Te4の結晶作製と電気伝導評価", 日本物理学会2019年秋季大会, 岐阜大学, 2019年9月11日.
3. 田村哲史, 福島健人, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "Al-Cu-Ru 正20面体準結晶の高温比熱とフェイゾン", 日本物理学会2019年秋季大会, 岐阜大学, 2019年9月11日.
4. H. Hamasaki, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Dislocation conductivity measurements in micrometer-sized Bi-Sb topological insulators", NTTI (New Trends in Toplogical Insulators) 2019 and BEC (Variety and Universality of Bulk-edge Correspondence in Topological Phases) 2019, Hiroshima, Japan, Jul. 19 (2019).
5. Y. Hattori, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Direct observation of Se ordering in Pb-based topological insulators", NTTI (New Trends in Toplogical Insulators) 2019 and BEC (Variety and Universality of Bulk-edge Correspondence in Topological Phases) 2019, Hiroshima, Japan, Jul. 19 (2019).
6. 濱﨑拡, 徳本有紀, 枝川圭一, "微細サンプルにおけるBi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気抵抗測定2", 日本物理学会第74回年次大会, 九州大学, 2019年3月17日.
7. 張旋, 伊田佳祐, 田村隆治, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "正二十面体準結晶のフェイゾン比熱", 日本物理学会第74回年次大会, 九州大学, 2019年3月15日.
8. 田村哲史, 小澤広大, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "Ag-In-Yb 正二十面体準結晶の比熱測定", 日本物理学会第74回年次大会, 九州大学, 2019年3月15日.
9. 伊田佳祐, 張旋, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "準結晶の成長過程のMDシミュレーション", 日本物理学会第74回年次大会, 九州大学, 2019年3月15日.
10. 伊田佳祐, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "分子動力学を用いた正10角形準結晶のフェイゾン解析", 日本物理学会2018年秋季大会, 同志社大学, 2018年9月9日.
11. 濱崎拡, 徳本有紀, 枝川圭一, "微細サンプルにおけるBi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気抵抗測定", 日本物理学会2018年秋季大会, 同志社大学, 2018年9月9日.
12. 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一, "Pb(Bi,Sb)2(Te,Se)4トポロジカル絶縁体のバルク絶縁体化", 日本物理学会2018年秋季大会, 同志社大学, 2018年9月9日.
13. Y. Hattori, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Transport properties of Pb(Bi1-xSbx)2Te4 Topological Insulators", NTTI (New Trends in Topological Insulators) 2018 and NGS (Narrow Gap Systems) 18, University of Luxembourg, Luxembourg, Jul. 19 (2018).
14. H. Hamasaki, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Electrical Conductions along Dislocations in Bismuth-Antimony Topological Insulators", NTTI (New Trends in Topological Insulators) 2018 and NGS (Narrow Gap Systems) 18, University of Luxembourg, Luxembourg, Jul. 19 (2018).
15. (招待講演) Y. Tokumoto, H. Hamasaki, and K. Edagawa, "Experimental Investigation on Dislocation Conduction in Topological Insulators", 19th International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS 2018), Porto palace Hotel, Thessaloniki, Greece, June 28 (2018).
16. 伊田佳祐, 藤川裕恭, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "正10角形準結晶の成長過程のMDシミュレーション", 日本物理学会第73回年次大会, 東京理科大学, 2018年3月22日.
17. 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一, "Pb(Bi,Sb)2Te4トポロジカル絶縁体のバルク絶縁性制御", 日本物理学会第73回年次大会, 東京理科大学, 2018年3月22日.
18. 上山僚介, 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一, 北原功一, 木村薫, "Pb(Bi1-xSbx)2Te4(0<x<1)トポロジカル絶縁体の熱電特性", 日本金属学会2018年春期(第162回)講演大会, 千葉工業大学, 2018年3月21日.
19. K. Nakamura, A. Kobayashi, K. Ueno, J. Ohta, Y. Tokumoto, and H. Fujioka, "Room-temperature preparation of InGaN for thin-film transistors", SPIE OPTO, San Francisco, USA, Jan. 31 (2018).
20. 服部裕也, 上山僚介, 徳本有紀, 枝川圭一, "Pb-(Bi,Sb)-(Te,Se)トポロジカル絶縁体の結晶作製と輸送特性評価", 日本物理学会2017年秋季大会, 岩手大学, 2017年9月23日.
21. 鈴木崇紀, 藤川裕恭, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "正20面体及び正10角形準結晶の成長過程のMDシミュレーション", 日本物理学会2017年秋季大会, 岩手大学, 2017年9月23日.
22. 濱崎拡, 徳本有紀, 枝川圭一, "Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気的性質", 日本物理学会2017年秋季大会, 岩手大学, 2017年9月21日.
23. (招待講演) 徳本有紀, "トポロジカル絶縁体中転位の電気伝導", 第78回 応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 2017年9月7日.
24. 鈴木崇紀, 藤川裕恭, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "正20面体金属準結晶の成長過程の分子動力学シミュレーション", 日本物理学会第72回年次大会, 大阪大学, 2017年3月20日.
25. 服部裕也, 上山僚介, 徳本有紀, 枝川圭一, "Pb(Bi,Sb)2Te4トポロジカル絶縁体の作製と電気伝導", 日本物理学会第72回年次大会, 大阪大学, 2017年3月20日.
26. 濱崎拡, 徳本有紀, 枝川圭一, "Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の評価と電気伝導2", 日本物理学会第72回年次大会, 大阪大学, 2017年3月17日.
27. 上山僚介, 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一, "Pb(Bi,Sb)2Te4トポロジカル絶縁体の熱電特性", 日本金属学会2017年春期(第160回)講演大会, 首都大学東京, 2017年3月17日.
28. 中村享平, 小林篤, 伊藤剛輝, ライケーシン, 森田眞理, 上野耕平, 太田実雄, 徳本有紀, 藤岡洋, "室温成長InGaNをチャネル層とした薄膜トランジスタの作製", 第64回 応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月14日.
29. 濱崎拡, 大江杏奈, 徳本有紀, 枝川圭一, "Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の評価と電気伝導異方性", 日本物理学会2016年秋季大会, 金沢大学, 2016年9月15日.
30. 藤川裕恭, 鈴木崇紀, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一, "準結晶の成長過程の分子動力学シミュレーション", 日本物理学会2016年秋季大会, 金沢大学, 2016年9月14日.
31. 濱崎拡，大江杏奈，市川和樹，上村祥史，徳本有紀, 枝川圭一, "Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の評価と電気伝導", 日本物理学会第71回年次大会, 東北学院大学, 2016年3月22日.　
32. 濱崎拡，大江杏奈，上村祥史，徳本有紀, 枝川圭一, "Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気伝導性", 日本物理学会2015年秋季大会, 関西大学, 2015年9月17日.
33. (受賞記念講演) 徳本有紀,"窒化物半導体中の転位・構造欠陥の動特性と制御に関する基礎研究", 日本物理学会第70回年次大会, 早稲田大学, 2015年3月21日.　　　　
34. 大久保泰，徳本有紀，出浦桃子，後藤頼良，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎, "窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係", 日本物理学会第70回年次大会, 早稲田大学, 2015年3月21日.

[ポスター発表]

1. Y. Tokumoto, H. Hamasaki, and K. Edagawa, "Electrical conduction along dislocations in topological insulators", 30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-30), Seattle, Washington, July 25 (2019).
2. R. Fujiwara, H. Hamasaki, Y. Kamimura, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Deformation mechanism of Bi1-xSbx topological insulator and introduction of metallic dislocations", APCP2018 (International Symposium on Atomistic Processes of Crystal Plasticity -Toward quantitative understanding of crystal strength-), The University of Tokyo, Tokyo, Japan, Oct. 25 (2018).
3. Y. Hattori, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Heavy doping effect on PbBi2Te4 series topological insulators", SSDM 2018 (2018 International Conference on Solid State Devices and Materials), University of Tokyo, Tokyo, Japan, Sept. 13 (2018).
4. H. Hamasaki, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Electrical Resistivity Measurements for Bismuth-Antimony Topological Insulators Containing Dislocations", SSDM 2018 (2018 International Conference on Solid State Devices and Materials), University of Tokyo, Tokyo, Japan, Sept. 13 (2018).
5. H. Hamasaki, Y. Hattori, Y. Tokumoto, and K. Edagawa, "Transport properties of topological insulators with Z2 indices of (1;111)", NTTI (New Trends in Toplogical Insulators) 2018 and NGS (Narrow Gap Systems) 18, University of Luxembourg, Luxembourg, Jul. 17 (2018).
6. 中村享平, 小林篤, 上野耕平, 太田実雄, 徳本有紀, 藤岡洋, "ガラス基板上に室温成長させたInGaNの特性と薄膜トランジスタ応用", 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道大学, 2017年7月14日.
7. 服部裕也, 市川和樹, 徳本有紀, 枝川圭一, "Pb-(Bi,Sb)-Teトポロジカル絶縁体の結晶作製と評価", 日本物理学会2016年秋季大会, 金沢大学, 2016年9月13日.
8. M. Deura, Y. Ohkubo, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno and I. Yonenaga, "Correlation between crystal quality and mechanical properties of InN",The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 11 (2015).
9. 出浦桃子，大久保泰，徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎, "InNの結晶特性と硬度・ヤング率の相関", 第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6), 東北大学, 2015年5月7日.

受賞

1. 第9回日本物理学会若手奨励賞, 2015年3月21日.
2. 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞, 2012年4月28日.
　　　　　
　　　　　

所在地

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東京大学 生産技術研究所 Fe-304