研究業績ACHIVEMENT
学会発表 2010-2014年
[口頭発表]
1. 大久保泰，出浦桃子，徳本有紀，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎, "InNの硬度とヤング率の評価", 電子情報通信学会研究会(窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般), 大阪大学, 2014年11月27日.
2. 徳本有紀, "AlxGa1-xN(0≤x≤1)混晶薄膜の機械的特性", 第153回超塑性研究会, 東京大学, 2013年12月27日.
3. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "In situ observation of
dislocation dynamics in AlN films", Electron Microscopy & Multiscale
Modeling (EMMM) 2013, Kyoto, Japan, Nov. 13 (2013).
4. 大野裕, 井上海平, 徳本有紀, 沓掛 健太朗, 大野裕, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, "シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用", 日本物理学会2013年秋季大会, 徳島大学, 2013年9月26日.
5. 米永一郎, 後藤頼良, 表和彦, 井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛 健太朗, 大野裕, "各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数", 日本物理学会2013年秋季大会, 徳島大学, 2013年9月26日.
6. 徳本有紀, 種市寛人, 沓掛 健太朗, 大野裕, 三宅秀人, 米永一郎, "AlxGa1-xN薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関", 日本物理学会2013年秋季大会, 徳島大学, 2013年9月26日.
7. 井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本有紀, 沓掛 健太朗, 大野裕, 米永一郎, "高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響", 日本物理学会2013年秋季大会, 徳島大学, 2013年9月26日.
8. I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, and Y. Ohno, "Growth of heavily tin-doped Si", The 17th International Conference on Crystal Growth (ICCGE-17), Warsaw, Poland, Aug. 16 (2013).
9. Y. Ohno, H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, and I. Yonenaga, "Slip systems in wurtzite ZnO single crystals at elevated temperatures", The 19th American Conference on Crystal Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 24 (2013).
10. Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Bulk crystal growth of dilute GeSn", The 19th American Conference on Crystal Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 24 (2013).
11. I. Yonenaga, Y. Ohno, Y. Tokumoto, and K. Kutsukake, "Dislocation mobilities in wide band-gap semiconductors", The 19th American Conference on Crystal Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 24 (2013).
12. I. Yonenaga, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Kutsukake, R. Gotoh, and K. Inoue, "X-ray topographic observation of dislocation generation and propagation in Czochralski-grown Si", The 19th American Conference on Crystal Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 23 (2013).
13. K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Growth of heavily indium doped Si", The 19th American Conference on Crystal Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 23 (2013).
14. Y. Ohno, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, and N. Bamba, "Formation of striaes in <0-441>-oriented
CZ-LiNbO3 single crystal", The 19th American Conference on Crystal
Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 22 (2013).
15. Y. Ohno, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, and I. Yonenaga, "Precipitation behaviour of Cu in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant", The 19th American Conference on Crystal Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 22 (2013).
16. (依頼講演) 徳本有紀,"半導体の転位のナノ分析", 平成25年度日本分析化学会東北支部若手の会交流, 秋保温泉, 2013年7月19日.
17. (奨励講演) 徳本有紀, 沓掛 健太朗, 大野裕, 米永一郎, "AlN薄膜への転位導入と伝搬挙動の観察", 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, 大阪大学, 2013年6月22日.
18. 徳本有紀, 種市寛人, 沓掛 健太朗, 大野裕, 米永一郎, "ナノインデンテーション法による"AlxGa1-xN薄膜の硬度測定", 日本物理学会第68回年次大会, 広島大学, 2013年3月27日.
19. 徳本有紀, 沓掛 健太朗, 大野裕, 米永一郎, "AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播", 日本物理学会2012年秋季大会, 横浜国立大学, 2012年9月20日.
20. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Propagation Behavior of Nanoindentation-induced Dislocations in AlN Films", International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS-2012), Thessaloniki, Greece, Jun. 28 (2012).
21. 徳本有紀, 沓掛 健太朗, 大野裕, 米永一郎, "AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位", 日本顕微鏡学会 第68回学術講演会, つくば国際会議場, 2012年5月14日.
22. 徳本有紀, 太子敏則, 大野裕, 米永一郎, "GeAs/Ge(111)界面の構造解析", 日本物理学会第67回年次大会, 関西学院大学, 2012年3月24日.
23. (招待講演) 徳本有紀, "半導体の転位ナノ物性", 東北大学金属材料研究所ワークショップ「分野融合型格子欠陥研究の発展に向けて」, 東北大学, 2011年10月27日.
24. 徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎, "非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造", 日本物理学会2011年秋季大会, 富山大学, 2011年9月22日.
25. T. Taishi, H. Ise, Y. Tokumoto, Y. Ohno, and I. Yonenaga, "Liquid boron-oxide (B2O3) encapsulated Czochralski-growth of Ge crystals", The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-18), Monterey, USA, Aug. 3 (2011).
26. Y. Tokumoto, H. -J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, and I. Yonenaga, "Preferential orientation for crystallites in polycrystalline GaN buffer layer", E-MRS 2011 Spring Meeting, Acropolis Congress Center, Nice, France, May 11 (2011).
27. 徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎, "低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化", 日本物理学会第66回年次大会, 新潟大学, 2011年3月27日.
28. 徳本有紀, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎, "P添加Si中の転位構造", 日本物理学会 2010年秋季大会, 大阪府立大学, 2010年9月26日.
29. Y. Tokumoto, Y. Ohno, T. Taishi, and I. Yonenaga, "Effects of phosphorus doping and annealing on dislocation structure in silicon", International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010, University of Sussex, Brighton, UK, Sep. 20 (2010).
30. S.R.Nishitani, K. Togase, Y. Tokumoto, and I. Yonenaga, "Micropipes and surface energy of compound semiconductors", CALPHAD XXXIX, Ramada Plaza Jeju, Jeju, Korea, May 27 (2010).
31. 徳本有紀, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎, "P添加Siにおける転位の構造", 日本顕微鏡学会 第66回学術講演会, 名古屋国際会議場, 2010年5月26日.
32. 安間伸一, 徳本有紀, 枝川圭一, 柴田直哉, 溝口照康, 山本剛久, 幾原雄一, "GaN 薄膜中貫通転位を用いた導電性ナノ細線の作製", 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月18日.
[ポスター発表]
1. 大久保泰，徳本有紀，出浦桃子，後藤頼良，沓掛健太朗，大野裕，米永一郎, "ナノインデンテーション法によるInNの硬度とヤング率の評価", 日本物理学会2014年秋季大会, 中部大学, 2014年9月20日.
2. 山本洋佑, 西谷滋人, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎，"Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算", 日本物理学会2013年秋季大会, 徳島大学, 2013年9月25日.
3. 井元裕也, 沓掛 健太朗, 徳本有紀, 大野裕, 米永一郎，"シリコン結晶中における転位の運動", 日本物理学会2013年秋季大会, 徳島大学, 2013年9月25日.
4. Y. Tokumoto, H. Taneichi, Y. Ohno, K. Kutsukake, H. Miyake, K. Hiramatsu, and I. Yonenaga，"Nanoindentation Hardness of AlGaN Alloys", 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), Washington – DC Metropolitan Area, USA, Aug. 26 (2013).
5. K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto, and I. Yonenaga，"Suppression of Multi-Crystallization in Mono-like Si for Solar Cells by Grain Boundary Engineering", The 19th American Conference on Crystal Growth (ACCGE-19), Keystone, USA, Jul. 23 (2013).
6. Y. Tokumoto, H. Taneichi, Y. Ohno, K. Kutsukake, H. Miyake, K. Hiramatsu and I. Yonenaga,
"Nanoindentation Hardness and Elastic Modulus of AlGaN Alloys",
The 10th conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, and the 18th
OptoElectronics and Communications Conference/Photonics in Switching 2013
(CLEO-PR & OECC/PS 2013), Kyoto International Conference Center, Kyoto,
Japan, Jul. 2 (2013).
7. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga，"Dislocation dynamics in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation", 18th Microscopy of Semi-Conducting Materials (MSM XVIII), University of Oxford, Oxford, UK, Apr. 8 (2013).
8. 徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 大野裕, 三宅秀人, 米永一郎，"窒化物半導体薄膜の転位密度と硬度の相関", 東北大学研究所連携プロジェクト 平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 東北大学, 2013年2月5日.
9. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga，"Dislocation generation and propagation in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation", Summit of Materials Science 2012, Sendai, Japan, Nov. 29 (2012).
10. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga，"Propagation of nanoindentation-induced dislocations in AlN films", International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, Sapporo, Japan, Oct. 14 (2012).
11. Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga，"Propagation of nanoindentation-induced dislocations in AlN films", Dislocations2012, Budapest, Hungary, Aug. 29 (2012).
12. Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga，"Morphology and microstructure of GeAs islands formed on Ge(111) surfaces", International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS-2012), Thessaloniki, Greece, Jun. 24 (2012).
13. 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎, "AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入およびその伝播挙動の観察", 第123回東北大学金属材料研究所講演会 2012年 春季, 東北大学, 2012年5月23日.
14. 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎, "AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝播挙動の観察", 第4回窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012講演会), 東京大学, 2012年4月27日.
15. 徳本有紀，太子敏則, 大野裕, 米永一郎, "Ge(111)基板上に形成されたGeAsの微細構造解析", 東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 東北大学, 2012年3月5日.
16. Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Ohno, and I. Yonenaga，"Morphology and microstructure of GeAs formed on Ge(111) surfaces", International Symposium on Role of Electron Microscopy in Industry ~Toward genuine collaboration between academiaand industry~, Nagoya University, Nagoya, Japan, Jan. 19 (2012).
17. K. Kutsukake, H. Ise,Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Nakajima, and I. Yonenaga,"Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multi-crystalline silicon ingot during one-directional solidification", The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-18), Monterey, USA, Aug. 1 (2011).
18. Y. Tokumoto, H. -J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, and I. Yonenaga，"Orientation relationship in GaN buffer layer grown on r-sapphire", The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-18), Monterey, USA, Aug. 1 (2011).
19. Y. Tokumoto, H. -J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, and I. Yonenaga，"Microstructure of Nonpolar GaN Grown at Low-temperature", 26th International Conference on Defects in Semiconductors, Nelson, New Zealand, Jul. 19 (2011).
20. Y. Tokumoto, H. -J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, and I. Yonenaga，"Crystallites with specific orientation in polycrystalline GaN buffer layer", 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011), Toba, Mie, Japan, May 23 (2011).
21. 徳本有紀，李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎, "非極性GaN薄膜成長における低温バッファ層の構造", 第121回東北大学金属材料研究所講演会 2011年 春季, 東北大学, 2011年5月24日.
22. 徳本有紀，李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎, "GaNバッファー層における成長方位の変化", 東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」, 東北大学, 2011年2月9日.
23. 徳本有紀，大野裕, 太子敏則, 米永一郎, "P添加および熱処理によるSi中の転位構造の変化", 第119回東北大学金属材料研究所講演会 2010年 春季, 東北大学,2010年5月27日.
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